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Products
碳化硅襯底片
所屬分類(lèi)：
產(chǎn)品概述
卓遠半導體通過(guò)全球首創(chuàng )的iGOWER視覺(jué)智能長(cháng)晶機器人裝置，采用PVT法生長(cháng)的碳化硅襯底晶圓，增加了對原料進(jìn)行預處理工藝技術(shù)，提高了原料的純線(xiàn)和密度，減少了晶體中可能出現的缺陷。工藝水平處于國內前列。
立即聯(lián)系
碳化硅襯底片
碳化硅襯底片是支撐電子電力行業(yè)不可或缺的重要材料，具有高出傳統硅數倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用有著(zhù)不可替代的優(yōu)勢。
技術(shù)參數
*N-Type & High purity SiC Wafer
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序號 |
性質(zhì) |
4H碳化硅襯底 |
6H碳化硅襯底 |
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01 |
直徑 |
100+0/-0.5mm |
150±0.2mm |
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02 |
厚度 |
350±25um |
350±25um |
|
03 |
電阻率 |
0.015～0.025Ω.cm |
0.015～0.025Ω.cm |
|
04 |
主定位邊方向 |
{10-10}±5° |
{10-10}±5° |
|
05 |
主定位邊長(cháng)度 |
32.5±2.0mm |
47.5±2.0mm |
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06 |
局部厚度變化 |
≤4um |
≤5um |
|
07 |
總厚度變化 |
≤10um |
≤15um |
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08 |
彎曲度 |
≤25um |
≤40um |
|
09 |
翹曲度 |
≤35um |
≤60um |
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10 |
表面粗糙度 |
Ra<0.5nm |
Ra<0.5nm |
|
11 |
劃痕 |
None |
None |
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12 |
崩邊 |
None |
None |
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13 |
多晶 |
None |
None |
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14 |
六方空洞 |
Cumulative area≤0.05% |
Cumulative area≤0.05% |
|
15 |
表面污染物 |
None |
None |
關(guān)鍵詞：
碳化硅襯底片
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